市場スナップショット
パワー半導体デバイスの市場規模とシェアは、2023年に約410億米ドル規模に達し、予測期間中に年平均成長率約4％で成長すると予測されている。さらに、調査分析によると、世界のパワー半導体デバイス市場は2035年までに約680億米ドルに達する見込みです。
市場概要
パワー半導体デバイスは、エネルギーをある形態から別の形態に多相変換するパワー電子回路機械に使用される部品である。これらのコンポーネントは、ゲルマニウム、炭化ケイ素（Sic）、窒化ガリウム（GaN）などの原材料で構成されている。パワー半導体デバイスは、衛星システム、無線通信、コンピュータシステム、電気駆動装置の高度制御、アンテナ、ブロードバンド無線技術など、さまざまな分野で応用されている。
サンプルPDFレポートの請求はこちら: https://www.sdki.jp/sample-request-59324
2021年3月、パワー半導体デバイスのオメガとアルファ・セミコンダクターズは、1200VのSiC MOSFETの新製品を発表した。これらはAEC-Q101認定を受けており、オンボードおよびオフボード充電、モーター駆動インバーター、電気自動車などの信頼性が高く効率的なアプリケーションに使用できる。
2021年4月、パワー半導体デバイスのNexperiaは、2KW以上で動作する定格650Vの第2世代GAN FETを発表した。性能と定格の点で他の世代のデバイスを上回る。
2022年2月、日本のパワー半導体デバイス会社である三菱は、家電用に特別に設計された低熱抵抗・低ノイズの新半導体SLIMDIP-Xを開発した。三菱は産業用オートメーションで29%の市場シェアを持つ。
パワー半導体市場の課題
当社のパワー半導体デバイス市場分析によると、SiCデバイスはその駆動要件のために課題に直面している。SiC系デバイスの使用目的は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの置き換えである。しかし、SiCベースのデバイスとIGBTの駆動要件には大きな違いがある。ほとんどのトランジスタには通常、対称レールが必要である。逆にSiCデバイスは、完全にブロックするために少量の負電荷を必要とするため、非対称レールを使用する。このため、追加のDC-DCドライバーか、3つの接続を持つ特別なバッテリーが必要になるため、携帯機器での使用に影響が出る可能性がある。
パワー半導体は非常に複雑なデバイスであり、設計と製造には高度な技術的専門知識が必要とされる。その結果、専門家が不足し、市場の成長を妨げている。
パワー半導体の製造には、SiCや窒化ガリウムなど高価な原材料が必要で、最終製品のコストが上昇する。このため、これらのデバイスを採用する中小企業は限られており、パワー半導体デバイスの市場規模は限られている。
競争環境
パワー半導体デバイス市場の主要プレーヤーやメーカーには、Texas Instruments Inc、 Infineon Technologies AG、NXP Semiconductor NV、東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社、オン・セミコンダクター株式会社、京セラ株式会社、Qualcomm Incorporated、ST Microelectronics NV、Intel Corporation、United Silicon Carbide Inc、Alpha and Omega Semiconductors、ルネサス エレクトロニクス、GaN Systems Inc、パナソニック株式会社、三菱電機株式会社、Broadcomm Inc、富士電機株式会社、Cree Inc、ローム株式会社、Microchip Technology Inc.などである。この調査レポートには、世界のパワー半導体デバイス市場におけるこれら主要企業の詳細な競合分析、企業プロフィール、最近の動向、主要市場戦略などが掲載されています。
市場調査レポートの詳細についてはこちらをご覧ください： https://www.sdki.jp/reports/power-semiconductor-devices/59324
